在太陽能電池生產中，制絨是晶硅電池的第 一道工藝。工程師提到對于單晶硅來說，制絨的目的就是延長 光在電池表面的傳播路徑，從而提高太陽能電池對光的吸收效率。單晶硅制絨的主要方法是用堿 （NaOH、KOH）對硅片表面進行腐蝕。由于硅片的 內部結構不同，各向異性的堿液制絨主要是使晶 向分布均勻的單晶硅表面形成類似“金字塔”狀的 絨面，有效地增強硅片對入射太陽光的吸收，從而 提高光生電流密度。對于既可獲得低的表面反射 率，又有利于太陽能電池的后續制作工藝的絨面， 應該是金字塔大小均勻，單體尺寸在 2～10 μm 之間，相鄰金字塔之間沒有空隙，即覆蓋率達到 100%。理想質量絨面的形成，受到了諸多因素的 影響，如硅片被腐蝕前的表面狀態、制絨液的組 成、各組分的含量、溫度、反應時間等。而在工業生 產中，對這一工藝過程的影響因素更加復雜，例如 加工硅片的數量、醇類的揮發、反應產物在溶液中 的積聚、制絨液中各組分的變化等。為了維持生產 良好的可重復性，并獲得高的生產效率。就要比較 透徹地了解金字塔絨面的形成機理，控制對制絨 過程中影響較大的因素，在較短的時間內形成質 量較好的金字塔絨面。 

單晶制絨的工藝比較復雜，不同公司有各自 獨特的制絨方法。一般堿制絨有以下幾種方法： NaOH+IPA、NaOH+IPA+NaSiO3、NaOH+CH3CH2OH 等。一般使用到的化學添加劑有兩種，一種是 IPA（異丙醇），另一種是工業酒精。加入異丙醇 后，可以使反應加快，主要是起消除氣泡的作用。 而對于加入工業酒精后，會改善硅片表面的質量 和美觀。 

在工業大規模生產中被普遍 接受的是 NaOH+IPA+NaSiO3 的 方 法 。 工 藝 要 求 NaSiO3 ∶ NaOH 在 1∶3.5 到 1∶3 之間，NaOH∶IPA 在 1∶6 左 右。NaOH 濃度要求在 2%～4%之間調整。在制絨 工藝中，溫度和溶液的比例是主要參數。時間是次 要的。保持工藝的穩定對大規模的生產是至關重 要的。通常通過排液、補液的方法來實現。對于第 二種工藝方法來說，制絨的最佳工作溫度在 83 ℃ ±1 ℃。溫度太低和 IPA 比例大小都不能制成絨 面，或者說在絨面形成之前硅片已經消耗完。IPA 太多形不成絨面，它不能起調節晶向反應速度的 作用。

太陽能電池片濕法設備主要技術特點：1.獨特的雙槽制絨工藝槽設計；2.分立式加熱系統保證溶液均勻性并降低運營成本；3.多通道注入結構實現制絨工藝槽溶液均勻性控制；4.機械傳動特殊設計及人性化安全保證；5.適應性強的工藝過程控制。

技術參數和工藝流程（見圖 1）：

設備外形尺寸：13 500 mm ×2 200 mm × 2 400 mm

被 清 洗 硅 片 ：125 mm ×125 mm ×0.16 mm/ 156 mm×156 mm×0.16 mm

生產能力：1 700 片 / 小時，

每批 200 片 生產節拍：7.0 min

片盒：100 片片盒 2 籃 / 批

處理最大質量: 40 kg